|
|
|
|
MOSFET N-CHANNEL 200VOLT 18AMP 125WATT TO-220AB |
Vishay
|
|
A partir de $0.47500 USD
|
0
|
12 Semaines
|
200V
|
18A
|
-
|
125 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
À Trou Traversant
|
TO-220-3
|
Tube
|
Vishay
|
SIHF640.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 400V 10AMP 125WATT TO-220AB |
Vishay
|
|
A partir de $0.48000 USD
|
5
|
6
|
400V
|
Canal N
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
10A
|
125 Watt
|
-55°C à +150°C
|
À Trou Traversant
|
TO-220AB
|
Tube
|
Vishay
|
IRF740.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET P-CHANNEL 30VOLT 11.6AMP (Ta) 2.5WATT 8-SO |
MEI Semiconductor
|
|
A partir de $0.45000 USD
|
10
|
8 Semaines
|
30V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
11.6A
|
2.5 Watt
|
-55°C à +150°C
|
Montage en Surface
|
8-SOIC
|
Bande et Bobine
|
Mei Semiconductor
|
IRF7424TRPBF.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 40VOLT 10AMP VGS=2V @250µA 8-SOIC |
Infineon Technologies
|
|
A partir de $1.90000 USD
|
2000
|
40 WEEKS
|
40V
|
10A
|
-
|
2.5 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
8-SOIC
|
Bande et Bobine
|
Infineon Technologies-International Rectifier
|
IRF7470.pdf
|
|
|
|
|
Canal N 30VOLT 17.2AMP 2.5WATT 8-SOIC Montage en surface |
Infineon Technologies
|
|
$0.46000 USD
|
0
|
24 Semaines
|
30V
|
17.2A
|
-
|
2.5 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
8-SOIC
|
Bande Coupée
|
Infineon Technologies-International Rectifier
|
IRF8113.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET N-CHANNEL 500VOLTS 4.5AMP(Tc) 74W(Tc) TO-220AB |
Vishay
|
|
A partir de $0.54000 USD
|
9000
|
8 Semaines
|
500V
|
Canal N
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
4.5A (Tc)
|
74W (Tc)
|
-55°C à +150°C
|
À Trou Traversant
|
TO-220AB
|
Tube
|
Vishay
|
IRF830PBF.pdf
|
|
|
|
|
TRANSISTOR MOSFET 2N-CHANNEL Vdss=30VOLT Id= 9.7A 8-SOIC |
Infineon Technologies
|
|
A partir de $0.38000 USD
|
225
|
1 Semaine
|
30V
|
Niveau logique Gate
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
Canal 2N
|
9.7A
|
2 Watt
|
-55°C à +175°C
|
Montage en Surface
|
8-SOIC
|
Bande Coupée
|
Infineon Technologies-International Rectifier
|
IRF8313.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 500V 8A 125WATT TO-220AB |
Vishay
|
|
A partir de $0.85000 USD
|
850
|
30 WEEKS
|
500V
|
8A
|
-
|
125 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
À Trou Traversant
|
TO-220AB
|
Tube
|
Vishay
|
SIHF840.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET Canal Vdss=55Volt Id=12AMP 45WATT TO-220AB |
Infineon Technologies-International Rectifier
|
|
A partir de $0.30000 USD
|
500
|
|
55V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
12A
|
45 Watt
|
-55°C à +175°C
|
À Trou Traversant
|
TO-220AB
|
Tube
|
International Rectifier
|
IRF9Z24N.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL P 55VOLTS 12 AMP 45 WATT TO-220AB |
Infineon Technologies
|
|
A partir de $0.20500 USD
|
0
|
12 Semaines
|
55V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
12A
|
45 Watt
|
-55°C à +175°C
|
À Trou Traversant
|
TO-220AB
|
Tube
|
Infineon Technologies
|
IRF9Z24N.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET Canal P Vdss=60V Id=1.6AMP 1.3WATT 4-DIP |
Vishay
|
|
A partir de $1.00000 USD
|
500
|
|
60V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
1.6A (Ta)
|
1.3 Watt (Ta)
|
-55°C à +175°C
|
À Trou Traversant
|
4-DIP
|
Tube
|
Vishay
|
IRFD9024.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL P 200VOLTS 3.6AMP DPAK |
Vishay
|
|
A partir de $1.00000 USD
|
0
|
10 Semaines
|
200V
|
3.6A
|
-
|
2.5 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
DPAK
|
Tube
|
Vishay
|
SIHFR922.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL P VDSS=200VOLTS Id=3.6AMP D-PAK |
Vishay
|
|
A partir de $0.94000 USD
|
650
|
40 WEEKS
|
200V
|
3.6A
|
-
|
2.5 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
DPAK
|
Bande et Bobine
|
Vishay
|
SIHFR922.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 49AMP 55VOLTS 94WATT TO-220 |
Infineon Technologies-International Rectifier
|
|
A partir de $0.48000 USD
|
838
|
30 WEEKS
|
55V
|
49A
|
-
|
94 Watt
|
-
|
-55°C à +175°C
|
-
|
À Trou Traversant
|
TO-220-3
|
Tube
|
International Rectifier
|
IRFZ44NPBF.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 55VOLT 64AMP 130WATT TO-220 |
Infineon Technologies-International Rectifier
|
|
A partir de $0.82000 USD
|
350
|
30 WEEKS
|
55V
|
64A
|
-
|
130 Watt
|
-
|
-55°C à +175°C
|
-
|
À Trou Traversant
|
TO-220-3
|
Tube
|
International Rectifier
|
IRFZ48NPBF.pdf
|
|
|
|
|
TRANSISTOR MOSFET CANAL N Vdss=60VOLT Id=2.7AMP (Ta) 1.25WATT (Ta) SOT-23-3 |
Infineon Technologies
|
|
A partir de $0.07800 USD
|
2400
|
6 Semaines
|
60V
|
2.7A (Ta)
|
-
|
1.25 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23-3
|
Bande et Bobine
|
Infineon Technologies-International Rectifier
|
IRLML0060.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL-P 20VOLT 3.17AMP SOT-23 |
Infineon Technologies
|
|
A partir de $0.25000 USD
|
195
|
30 WEEKS
|
20V
|
3.7A
|
-
|
-
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23
|
Bande et Bobine
|
Infineon Technologies-International Rectifier
|
IRLML6402.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 30V 1.7A 85mOHM @ Vgs=10V SOT-23-3 |
onsemi
|
|
A partir de $0.28500 USD
|
500
|
20 Semaines
|
30V
|
1.7A (Ta)
|
-
|
500mWatt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23-3
|
Bande et Bobine
|
onsemi
|
NDS355AN.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL N 60VOLT 2 OHM@500mA 300mWATT SOT-23-3 |
onsemi
|
|
A partir de $0.24200 USD
|
1890
|
24 Semaines
|
60V
|
280mA
|
-
|
300mWatt
|
-
|
-65°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23-3
|
Bande et Bobine
|
onsemi
|
2N7000-2N7002-NDS7002A.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET CANAL-P 12AMP 60V DPAK-3 |
onsemi
|
|
A partir de $0.47500 USD
|
1430
|
35 WEEKS
|
60V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
12A
|
55 Watt (Tj)
|
-55°C à +175°C
|
Montage en Surface
|
DPAK (TO-252-3)
|
Bande et Bobine
|
onsemi
|
NTD2955-D.pdf
|
|
|
|
|
TRANSISTOR MOSFET CANAL-P 20VOLT 1AMP 400mWATT SOT-23 |
onsemi
|
|
A partir de $0.07900 USD
|
0
|
6 Semaines
|
20V
|
1A
|
-
|
400mWatt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23-5
|
Bande et Bobine
|
onsemi
|
NTR1P02T1G.PDF
|
|
|
|
|
MOSFET P-CANAL VDS=20VOLTS ID=2.8AMP 0.9WATT SOT-23 |
MEI Semiconductor
|
|
Appelez-nous pour connaître le prix
|
0
|
12 Semaines
|
20V
|
2.8A
|
-
|
900mWatt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23
|
Bande et Bobine
|
Mei Semiconductor
|
P2301BLT1G.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET P-CANAL VDS=20VOLTS ID=4.7AMP 1.1WATT SOT-23 |
MEI Semiconductor
|
|
Appelez-nous pour connaître le prix
|
0
|
8 Semaines
|
20V
|
4.7A
|
-
|
1.1 Watt
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SOT-23
|
Bande et Bobine
|
Mei Semiconductor
|
P3443LT1G.pdf
|
|
|
|
|
TRANSISTOR MOSFET CANAL-P 30VOLT Ta=1.9AMP 950mW SC-70-6 (SOT-363) |
Vishay
|
|
A partir de $1.49000 USD
|
605
|
OBSOLETE
|
30V
|
1.9A
|
-
|
950mW
|
-
|
-55°C à +150°C
|
-
|
Montage en Surface
|
SC-70-6 (SOT-363)
|
Bande et Bobine
|
Vishay
|
SI1433DH.pdf
|
|
|
|
|
MOSFET P-CHANNEL Vdss=30VOLT Id=2.7AMP 6-TSSOP |
Vishay
|
|
A partir de $0.31000 USD
|
2400
|
OBSOLETE
|
30V
|
CANAL P
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
-
|
2.7A (Ta)
|
2.78 Watt (Tc)
|
-55°C à +150°C
|
Montage en Surface
|
6-TSSOP
|
Bande et Bobine
|
Vishay
|
si1471dh.pdf
|