Configuration
Courant - Drain Continu (Id)
Tension Drain-Source (Vdss)
Tyoe de FET
Boîtier
Puissance Max.
Technologies
Température
Type de montage
Emballage
Fabricant
Compare Mfg. Part# Price Inventaire Livraison Tension Drain-Source (Vdss) Courant - Drain Continu (Id) Tyoe de FET Puissance Max. Technologies Température Configuration Type de montage Boîtier Emballage Fabricant Spécifications
Image de IRF640PBF

IRF640PBF

MOSFET N-CHANNEL 200VOLT 18AMP 125WATT TO-220AB
Vishay
A partir de $0.47500 USD
0 12 Semaines 200V 18A - 125 Watt - -55°C à +150°C - À Trou Traversant TO-220-3 Tube Vishay SIHF640.pdf
Image de IRF740PBF

IRF740PBF

MOSFET CANAL N 400V 10AMP 125WATT TO-220AB
Vishay
A partir de $0.48000 USD
5 6 400V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 10A 125 Watt -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay IRF740.pdf
Image de IRF7424TRPBF MEI

IRF7424TRPBF MEI

MOSFET P-CHANNEL 30VOLT 11.6AMP (Ta) 2.5WATT 8-SO
MEI Semiconductor
A partir de $0.45000 USD
10 8 Semaines 30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 11.6A 2.5 Watt -55°C à +150°C Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Mei Semiconductor IRF7424TRPBF.pdf
Image de IRF7470TRPBF

IRF7470TRPBF

MOSFET CANAL N 40VOLT 10AMP VGS=2V @250µA 8-SOIC
Infineon Technologies
A partir de $1.90000 USD
2000 40 WEEKS 40V 10A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface 8-SOIC Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier IRF7470.pdf
Image de IRF8113TRPBF

IRF8113TRPBF

Canal N 30VOLT 17.2AMP 2.5WATT 8-SOIC Montage en surface
Infineon Technologies
$0.46000 USD
0 24 Semaines 30V 17.2A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier IRF8113.pdf
Image de IRF830PBF VIS

IRF830PBF VIS

MOSFET N-CHANNEL 500VOLTS 4.5AMP(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
Vishay
A partir de $0.54000 USD
9000 8 Semaines 500V Canal N MOSFET (Metal Oxide) - 4.5A (Tc) 74W (Tc) -55°C à +150°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay IRF830PBF.pdf
Image de IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

TRANSISTOR MOSFET 2N-CHANNEL Vdss=30VOLT Id= 9.7A 8-SOIC
Infineon Technologies
A partir de $0.38000 USD
225 1 Semaine 30V Niveau logique Gate MOSFET (Metal Oxide) Canal 2N 9.7A 2 Watt -55°C à +175°C Montage en Surface 8-SOIC Bande Coupée Infineon Technologies-International Rectifier IRF8313.pdf
Image de IRF840PBF VISHAY

IRF840PBF VISHAY

MOSFET CANAL N 500V 8A 125WATT TO-220AB
Vishay
A partir de $0.85000 USD
850 30 WEEKS 500V 8A - 125 Watt - -55°C à +150°C - À Trou Traversant TO-220AB Tube Vishay SIHF840.pdf
Image de IRF9Z24N

IRF9Z24N

MOSFET Canal Vdss=55Volt Id=12AMP 45WATT TO-220AB
Infineon Technologies-International Rectifier
A partir de $0.30000 USD
500 55V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 12A 45 Watt -55°C à +175°C À Trou Traversant TO-220AB Tube International Rectifier IRF9Z24N.pdf
Image de IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

MOSFET CANAL P 55VOLTS 12 AMP 45 WATT TO-220AB
Infineon Technologies
A partir de $0.20500 USD
0 12 Semaines 55V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 12A 45 Watt -55°C à +175°C À Trou Traversant TO-220AB Tube Infineon Technologies IRF9Z24N.pdf
Image de IRFD9024PBF  VIS

IRFD9024PBF VIS

MOSFET Canal P Vdss=60V Id=1.6AMP 1.3WATT 4-DIP
Vishay
A partir de $1.00000 USD
500 60V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 1.6A (Ta) 1.3 Watt (Ta) -55°C à +175°C À Trou Traversant 4-DIP Tube Vishay IRFD9024.pdf
Image de IRFR9220PBF

IRFR9220PBF

MOSFET CANAL P 200VOLTS 3.6AMP DPAK
Vishay
A partir de $1.00000 USD
0 10 Semaines 200V 3.6A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface DPAK Tube Vishay SIHFR922.pdf
Image de IRFR9220TRPBF

IRFR9220TRPBF

MOSFET CANAL P VDSS=200VOLTS Id=3.6AMP D-PAK
Vishay
A partir de $0.94000 USD
650 40 WEEKS 200V 3.6A - 2.5 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface DPAK Bande et Bobine Vishay SIHFR922.pdf
Image de IRFZ44NPBF  IR

IRFZ44NPBF IR

MOSFET CANAL N 49AMP 55VOLTS 94WATT TO-220
Infineon Technologies-International Rectifier
A partir de $0.48000 USD
838 30 WEEKS 55V 49A - 94 Watt - -55°C à +175°C - À Trou Traversant TO-220-3 Tube International Rectifier IRFZ44NPBF.pdf
Image de IRFZ48NPBF IR

IRFZ48NPBF IR

MOSFET CANAL N 55VOLT 64AMP 130WATT TO-220
Infineon Technologies-International Rectifier
A partir de $0.82000 USD
350 30 WEEKS 55V 64A - 130 Watt - -55°C à +175°C - À Trou Traversant TO-220-3 Tube International Rectifier IRFZ48NPBF.pdf
Image de IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

TRANSISTOR MOSFET CANAL N Vdss=60VOLT Id=2.7AMP (Ta) 1.25WATT (Ta) SOT-23-3
Infineon Technologies
A partir de $0.07800 USD
2400 6 Semaines 60V 2.7A (Ta) - 1.25 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier IRLML0060.pdf
Image de IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF

MOSFET CANAL-P 20VOLT 3.17AMP SOT-23
Infineon Technologies
A partir de $0.25000 USD
195 30 WEEKS 20V 3.7A - - - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Infineon Technologies-International Rectifier IRLML6402.pdf
Image de NDS355AN

NDS355AN

MOSFET CANAL N 30V 1.7A 85mOHM @ Vgs=10V SOT-23-3
onsemi
A partir de $0.28500 USD
500 20 Semaines 30V 1.7A (Ta) - 500mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine onsemi NDS355AN.pdf
Image de NDS7002A

NDS7002A

MOSFET CANAL N 60VOLT 2 OHM@500mA 300mWATT SOT-23-3
onsemi
A partir de $0.24200 USD
1890 24 Semaines 60V 280mA - 300mWatt - -65°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23-3 Bande et Bobine onsemi 2N7000-2N7002-NDS7002A.pdf
Image de NTD2955T4G

NTD2955T4G

MOSFET CANAL-P 12AMP 60V DPAK-3
onsemi
A partir de $0.47500 USD
1430 35 WEEKS 60V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 12A 55 Watt (Tj) -55°C à +175°C Montage en Surface DPAK (TO-252-3) Bande et Bobine onsemi NTD2955-D.pdf
Image de NTR1P02T1G

NTR1P02T1G

TRANSISTOR MOSFET CANAL-P 20VOLT 1AMP 400mWATT SOT-23
onsemi
A partir de $0.07900 USD
0 6 Semaines 20V 1A - 400mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23-5 Bande et Bobine onsemi NTR1P02T1G.PDF
Image de P2301BLT1G

P2301BLT1G

MOSFET P-CANAL VDS=20VOLTS ID=2.8AMP 0.9WATT SOT-23
MEI Semiconductor
Appelez-nous pour connaître le prix
0 12 Semaines 20V 2.8A - 900mWatt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor P2301BLT1G.pdf
Image de P3443LT1G

P3443LT1G

MOSFET P-CANAL VDS=20VOLTS ID=4.7AMP 1.1WATT SOT-23
MEI Semiconductor
Appelez-nous pour connaître le prix
0 8 Semaines 20V 4.7A - 1.1 Watt - -55°C à +150°C - Montage en Surface SOT-23 Bande et Bobine Mei Semiconductor P3443LT1G.pdf
Image de SI1433DH-T1-E3

SI1433DH-T1-E3

TRANSISTOR MOSFET CANAL-P 30VOLT Ta=1.9AMP 950mW SC-70-6 (SOT-363)
Vishay
A partir de $1.49000 USD
605 OBSOLETE 30V 1.9A - 950mW - -55°C à +150°C - Montage en Surface SC-70-6 (SOT-363) Bande et Bobine Vishay SI1433DH.pdf
Image de SI1471DH-T1-E3

SI1471DH-T1-E3

MOSFET P-CHANNEL Vdss=30VOLT Id=2.7AMP 6-TSSOP
Vishay
A partir de $0.31000 USD
2400 OBSOLETE 30V CANAL P MOSFET (Metal Oxide) - 2.7A (Ta) 2.78 Watt (Tc) -55°C à +150°C Montage en Surface 6-TSSOP Bande et Bobine Vishay si1471dh.pdf